ESH3DHE3_A/I
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | ESH3DHE3_A/I |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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3500+ | $0.3208 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 3 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 200 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DO-214AB (SMC) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 40 ns |
Verpackung / Gehäuse | DO-214AB, SMC |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 5 µA @ 200 V |
Strom - Richt (Io) | 3A |
Kapazität @ Vr, F | 70pF @ 4V, 1MHz |
Grundproduktnummer | ESH3 |
ESH3DHE3_A/I Einzelheiten PDF [English] | ESH3DHE3_A/I PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 200V 3A SOD128
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
20NS, 3A, 200V, ULTRA FAST RECOV
CAP ALUM RAD 105C
CAP ALUM 4.7UF 20% 50V RADIAL
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DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
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VISHAY SMC
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() ESH3DHE3_A/IVishay General Semiconductor - Diodes Division |
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Zielpreis (USD)
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